
El carburo de silicio (SiC) está dando forma al futuro de los vehículos eléctricos, ofreciendo mayor eficiencia y rendimiento en cargadores integrados y convertidores CC/CC. Para ayudar a los ingenieros a abordar las complejidades del diseño de la detección de corriente en estas aplicaciones, colaboramos con Texas Instruments para analizar más de cerca algunos de los principales métodos de detección y protección.
En esta conversación de expertos, Mark Ng, director de sistemas automotrices en Texas Instruments, y Andreas Heim, vicepresidente de ingeniería automotriz en Flex, analizan los enfoques clave para la protección contra cortocircuitos de los MOSFET de potencia de SiC, incluidos la detección de corriente basada en derivación, desaturación y efecto Hall.
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